(一)工作原理
進(jìn)口探針臺(tái)通過機(jī)械探針與半導(dǎo)體晶圓或芯片上的焊盤建立可靠的電氣連接，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片電性能的測(cè)試。在測(cè)試過程中，探針臺(tái)的精密定位平臺(tái)將探針精準(zhǔn)地移動(dòng)到芯片的測(cè)試點(diǎn)上，施加特定的電信號(hào)，并采集芯片反饋的信號(hào)，以評(píng)估芯片的各項(xiàng)性能指標(biāo)，如電流、電壓、電阻、電容等。同時(shí)，探針臺(tái)還可與外部測(cè)試儀器(如半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、示波器、頻譜分析儀等)配合使用，對(duì)芯片進(jìn)行更全面、深入的測(cè)試。
(二)關(guān)鍵技術(shù)
高精度定位技術(shù)：進(jìn)口探針臺(tái)通常采用先進(jìn)的運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)，如高精度絲桿導(dǎo)軌、直線電機(jī)、氣浮軸承等，配合高分辨率的光柵尺或磁柵尺反饋系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的定位精度。例如，某些探針臺(tái)的定位精度可達(dá) ±0.5μm 甚至更高，能夠滿足先進(jìn)制程芯片微小測(cè)試點(diǎn)的對(duì)準(zhǔn)需求。
探針卡技術(shù)：探針卡是探針臺(tái)的核心部件之一，它集成了數(shù)十到數(shù)千根探針，用于與芯片焊盤進(jìn)行電氣接觸。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，探針卡也在不斷創(chuàng)新，出現(xiàn)了多種新型探針結(jié)構(gòu)和材料。如 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))探針卡，采用 MEMS 工藝制造，具有尺寸小、精度高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)超密間距測(cè)試，適應(yīng) 5nm 以下制程芯片的微凸點(diǎn)和混合鍵合結(jié)構(gòu)的測(cè)試需求；垂直探針卡則具有更好的電氣性能和接觸穩(wěn)定性，適用于高頻、高速信號(hào)測(cè)試以及對(duì)接觸力要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
環(huán)境模擬技術(shù)：為了模擬芯片在實(shí)際工作中的各種環(huán)境條件，進(jìn)口探針臺(tái)配備了完善的環(huán)境模擬系統(tǒng)。該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度、濕度、氣壓、電磁干擾等環(huán)境參數(shù)的精確控制。例如，溫度控制范圍可從 - 60℃至 300℃甚至更寬，能夠滿足汽車電子、航空航天等領(lǐng)域?qū)π酒跇O端溫度環(huán)境下的可靠性測(cè)試需求；通過電磁屏蔽技術(shù)，可有效消除外界電磁干擾，保證對(duì)高頻、高靈敏度芯片的測(cè)試準(zhǔn)確性。
自動(dòng)化與智能化技術(shù)：現(xiàn)代進(jìn)口探針臺(tái)越來越多地采用自動(dòng)化和智能化技術(shù)，以提高測(cè)試效率和測(cè)試質(zhì)量。自動(dòng)化功能包括自動(dòng)上下料、自動(dòng)晶圓對(duì)準(zhǔn)、自動(dòng)探針定位等，減少了人工操作帶來的誤差和時(shí)間損耗。智能化技術(shù)則體現(xiàn)在通過集成 AI 算法，實(shí)現(xiàn)測(cè)試參數(shù)的自適應(yīng)調(diào)整、探針磨損監(jiān)測(cè)與預(yù)測(cè)、測(cè)試數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)分析與處理等。例如，某些探針臺(tái)能夠根據(jù)實(shí)時(shí)測(cè)試數(shù)據(jù)動(dòng)態(tài)優(yōu)化探針與芯片焊盤的接觸力，在保證測(cè)試準(zhǔn)確性的同時(shí)，降低探針磨損率和芯片焊盤損傷風(fēng)險(xiǎn)。
